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TPS28226DR	文件：1.58208 Mbytes Page：39 Pages	TPS28226 High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers 文件：1.58208 Mbytes 页数：39 Pages	TI 德州仪器	TI
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TPS28226DRBR	文件：1.1347 Mbytes Page：35 Pages	High-Frequency 4-A Sink Synchronous MOSFET Drivers 文件：1.1347 Mbytes 页数：35 Pages	TI 德州仪器	TI
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TPS28226DR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	TI2 德州仪器	TI2
TPS28226DRBR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON	TI2 德州仪器	TI2
TPS28226DRBT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON	TI2 德州仪器	TI2

产品属性

产品编号：
TPS28226DR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
6.8V ~ 8.8V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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