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TPR175	文件：23.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF-MICROWAVE POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASITPR175isacommonbasetransistorDesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband1030-1090MHz. FEATURES: •CommonBase •InternalMatchingNetwork •PG=8.0dBat175W/1090MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
TPR175	文件：276.14 Kbytes Page：3 Pages	high power COMMON BASE bipolar transistor. GENERALDESCRIPTION TheTPR175isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband1030-1090MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputprematchforbroadbandcapability.Lowthermal	GHZTECHGHz Technology GHz Technology	GHZTECH
TPR175	文件：86.46 Kbytes Page：1 Pages	175 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030-1090 MHz GENERALDESCRIPTION TheTPR175isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband1030-1090MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputprematchforbroadbandcapability.Lowthermal	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TPR175	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：55CX 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
175	文件：115.71 Kbytes Page：2 Pages	RUGGEDandLIGHTWEIGHTALUMINUMBATTERYHOLDERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
175	文件：127.76 Kbytes Page：2 Pages	3M??Temflex??VinylElectricalTape175	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
175	文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages	TemperatureSensorsLineGuide	HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
175A	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
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175B	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
175B-EU	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
175C	文件：179.14 Kbytes Page：3 Pages	SiliconControlledRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
175C	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
175C-EU	文件：345.58 Kbytes Page：2 Pages	AutoLineTransformer	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
175CJ	文件：186.66 Kbytes Page：2 Pages	Fast-ActingCeramicBody,ClassJ	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司	COOPER
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产品属性

产品编号：
TPR175
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
频率 - 跃迁：
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益：
8dB ~ 9dB
功率 - 最大值：
290W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 20mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
9A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55CX
供应商器件封装：
55CX
描述：
RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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