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TPN4R712MD	文件：751.64 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS Applications •Lithium-IonSecondaryBatteries •PowerManagementSwitches Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.8mΩ(typ.)(VGS=-4.5V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) (3)Enhancementmode:Vth=-0.5to-1.2V(VDS=-10V,ID=-1.0mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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TPN4R712MD

文件：751.64 Kbytes

Page：9 Pages

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications •Lithium-IonSecondaryBatteries •PowerManagementSwitches Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.8mΩ(typ.)(VGS=-4.5V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) (3)Enhancementmode:Vth=-0.5to-1.2V(VDS=-10V,ID=-1.0mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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更多TPN4R712MD供应商更新时间2024-4-23 14:00:00

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