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TPD2EUSB30DRTR电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

TPD2EUSB30DRTR
厂商型号

TPD2EUSB30DRTR

参数属性

TPD2EUSB30DRTR 封装/外壳为3-SMD,SOT-23-3 变式;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为电路保护的TVS-二极管;TPD2EUSB30DRTR应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5.5VWM 8VC SOT9X3

功能描述

100 Watts Peak Pulse Power per Line (tp=8/20μs)

丝印标识

M5

封装外壳

SOT-723 / 3-SMD,SOT-23-3 变式

文件大小

1.23971 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
企业简称

LEIDITECH雷卯电子

中文名称

上海雷卯电子科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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TPD2EUSB30DRTR规格书详情

Features

100 Watts Peak Pulse Power per Line (tp=8/20μs)

Protects Two Lines

Low Clamping Voltage

Working Voltages : 5V

Low Leakage Current

IEC61000-4-2 (ESD) ±17kV (air), ±10kV (contact)

IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ηs)

IEC61000-4-5 (LIGHTING) 4A (8/20μs)

Applications

Cellular Handsets & Accessories

Antennas

High Spped I/O Lines

Keypads, Side Keys, LCD Displays

Battery, Power Lines

Notebooks & Desktop Computers

Portable Instrumentation

产品属性

  • 产品编号:

    TPD2EUSB30DRTR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 类型:

    转向装置(轨至轨)

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5.5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    8V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    45W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,SOT-23-3 变式

  • 供应商器件封装:

    SOT-3

  • 描述:

    TVS DIODE 5.5VWM 8VC SOT9X3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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