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SM8404CSQ	文件：274.16 Kbytes Page：14 Pages	DualEnhancementModeMOSFET(N-andP-Channel)	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM8404CSQA	文件：300.54 Kbytes Page：14 Pages	DualEnhancementModeMOSFET(N-andP-Channel)	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM8404CSQAC-TRG	文件：300.54 Kbytes Page：14 Pages	DualEnhancementModeMOSFET(N-andP-Channel)	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM8404CSQC-TRG	文件：274.16 Kbytes Page：14 Pages	DualEnhancementModeMOSFET(N-andP-Channel)	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
TPCP8404	文件：258.73 Kbytes Page：10 Pages	SiliconP,NChannelMOSFET ■Features ●Lowdrain-sourceON-resistance: PChannelRDS(ON)=38m¡(typ.)(VGS=-10V) NChannelRDS(ON)=38mȍ(typ.)(VGS=10V) ●Highforwardtransferadmittance: PChannel\|Yfs\|=7.3S(typ.) NChannel\|Yfs\|=8S(typ.) ●Lowleakagecurrent: PChannelIDSS=-10ȝA(max)(VDS	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
TPCP8404	文件：293.12 Kbytes Page：11 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP,NChannelMOSType(U-MO/U-MOS) PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:PChannelRDS(ON)=38mΩ(typ.)(VGS=−10V) NChannelRDS(ON)=38mΩ(typ.)（VGS=10V) •Highforwardtransferadmittance:PChannel\|Yfs\|=7.3	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8404	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TPC8404(TE12L
功能描述：
MOSFET MOSFET N-Ch PCh 250V 1.1A Nch 0.9A Pch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TPC8404(TE12L供应商更新时间2025-7-19 13:59:00

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