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TP0620	文件：312.7 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：312.7 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TP0620	文件：477.09 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：477.09 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TP0620	文件：632.2 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：632.2 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP0620	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, P-Channel Enhancement-Mode, -200V, 12 Ohm This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature Low threshold (-2.4V max.) \nHigh input impedance \nLow input capacitance (85pF typical) \nFast switching speeds \nLow on-resistance \nFree from secondary breakdown \nLow input and output leakage;	Microchip 微芯科技	Microchip
TP0620_13	文件：632.2 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：632.2 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP0620N3	文件：477.09 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：477.09 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TP0620N3G	文件：312.7 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：312.7 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TP0620N3-G	文件：632.2 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：632.2 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP0620N3-GP002	文件：632.2 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：632.2 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP0620N3-GP003	文件：632.2 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：632.2 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

技术参数

BVdss min (V)：
-200
Rds (on) max (Ohms)：
12
Vgs(th) max (V)：
-2.4
CISSmax (pF)：
150
Packages：
3\\TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TP0620供应商更新时间2025-10-7 16:10:00

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