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TN2524	文件：477.93 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：477.93 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2524	文件：771.12 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：771.12 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TN2524	文件：700.41 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：700.41 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2524	文件：629.32 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：629.32 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2524	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, N-Channel Enhancement-Mode, 240V, 6.0 Ohm This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temper Low threshold (2.0V max.) \nHigh input impedance \nLow input capacitance (125pF max.) \nFast switching speeds \nLow on-resistance \nFree from secondary breakdown \nLow input and output leakage;	Microchip 微芯科技	Microchip
TN2524N8	文件：477.93 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：477.93 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2524ND	文件：477.93 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：477.93 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2524_07	文件：700.41 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：700.41 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2524_13	文件：629.32 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：629.32 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2524N8-G	文件：771.12 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：771.12 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip

技术参数

BVdss min (V)：
240
Rds (on) max (Ohms)：
6.0
CISSmax (pF)：
125
Vgs(th) max (V)：
2.0
Packages：
3\\SOT-89

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更多TN2524供应商更新时间2025-10-7 14:02:00

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