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UPC2410AHF	文件：320.4 Kbytes Page：16 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Built-inthesaturationprotectioncircuitoftheoutputtransistor. •Thecapabilityofoutputcurrentis1A •Highaccuracyofoutputvoltage. \|DVO\|£±2(TJ=25°C) \|DVO\|£±3(0°C£TJ£125°C) •Lowdropoutvoltage. VDIF£1V(IO£1A,TJ£125°C) •Built-in	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPORT2410	文件：841.87 Kbytes Page：4 Pages	2and4-portRS-232USB-to-serialconverters	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
US2410	文件：747.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch20VFastSwitchingMOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
US2410	文件：747.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch20VFastSwitchingMOSFETs	XINDEYI ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.	XINDEYI
VBA2410	文件：681.14 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •POL	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VDA2410CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA2410NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VN2410	文件：442.17 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimped	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2410	文件：383.98 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceandpo	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2410	文件：780.24 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

详细参数

型号：
TMR2410
制造商：
Traco Power
功能描述：
DC/DC converter,18-36Vi,3.3Vo 0.5A,1.65W
功能描述：
Module DC-DC 1-OUT 3.3V 0.5A 2W 7-Pin SIP

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