首页 >TMP30N10HT>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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FastSwitching | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel100-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=50mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •LEDbackl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
N-ChannelPowerMOSFET | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
N-ChannelPowerMOSFET | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
N-ChannelEnhancementMOSFET Features •VDS=100V,ID=30A •RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V(Typ.) •RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V(Typ.) •HighPowerandcurrenthandingcapability •Leadfreeproductisacquired •SurfaceMountPackage MainApplications •BatteryProtection •LoadSwitch •PowerManagement | GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司 | GWSEMI | ||
100VN-ChannelMOSFET | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 | FOSTER | ||
N-ChannelPowerMOSFET | FS First Silicon Co., Ltd | FS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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