TMAG511x-Q1 2D, Dual-Channel, High-Sensitivity, Hall-Effect Latch

1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results: – Device temperature grade 1: –40°C to 125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification Level H3A – Device CDM ESD classification Level C6 • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functi

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高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器

TMAG5110 和 TMAG5111 是 二维双通道霍尔效应锁存器，通过 2.5V 至 38V 电源供电。由于专为高速和高温电机应用设计，这些器件针对利用旋转磁体的应用进行了优化。通过集成两个传感器和两个单独的信号链， TMAG511x 可提供两个独立的数字输出用于速度和方向计算 (TMAG5111)，或直接为每个独立锁存器提供数字输出 (TMAG5110)。这种高度集成允许使用一个 TMAG511x 器件，而不是两个单独的锁存器。\n\n该器件提供标准的 3mT 工作点以及高灵敏度 1.4mT 工作点。更高的磁性灵敏度可实现灵活的低成本磁体选型和机械部件放置。 TMAG511x 还提供了三 • 带有平面和垂直霍尔效应传感器的 2D 感应\n• 提供了两个功能选项： \n• TMAG5111：速度和方向输出\n• 超高磁性灵敏度： \n• TMAG511xx4：±3mT（典型值）\n• 40kHz 高速感应带宽\n• 开漏输出（10mA 灌电流）\n• -40°C 至 +125°C\n• 保护特性 \n• 器件最高支持 40V\n• 输出电流限制;

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丝印：0A2Z；Package：SOT-23；TMAG511x-Q1 2D, Dual-Channel, High-Sensitivity, Hall-Effect Latch

1 Features • AEC-Q100 qualified with the following results: – Device temperature grade 1: –40°C to 125°C ambient operating temperature range – Device HBM ESD classification Level H3A – Device CDM ESD classification Level C6 • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functi

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