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559	文件：95.62 Kbytes Page：4 Pages	ELECTRONICBREAKERLESSCONVERSIONKIT	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.
559	文件：117.72 Kbytes Page：1 Pages	SUBMINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
A-559T	文件：96.96 Kbytes Page：2 Pages	Avikrimp??SnapPlug,for18-22AWGWire,MylarTape,24.08mm(.946)Length	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司
AC559	文件：106.77 Kbytes Page：2 Pages	5TO500MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIERS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
AC559	文件：176.04 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIERS	TELEDYNE TELEDYNE
BC559	文件：106.81 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
BC559	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BC559	文件：43.71 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingandAmplifier Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC559	文件：229.1 Kbytes Page：7 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92(SOT54)plasticpackage. NPNcomplement:BC549. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.30V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BC559	文件：100 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC559	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications ThesetransistorsaresubdividedintothreegroupsA, BandCaccordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
BC559	文件：44.33 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92(SOT54)plasticpackage. NPNcomplement:BC549. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.30V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BC559	文件：107.8 Kbytes Page：4 Pages	LowNoiseTransistors LowNoiseTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC559	文件：370.43 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications??? PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications.	SEMTECH Semtech Corporation
BC559	文件：213.33 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS PNPSiliconTransistors	SIEMENS Siemens Ltd
BC559	文件：121.65 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(LOWNOISE) LOWNOISEAPPLICATION. FEATURE •ForComplementarywithNPNTypeBC549/550.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
BC559	文件：34.5 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
BC559	文件：253.27 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistors(PNP) REATURES ♦PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorsfor switchingandAFamplifierapplications. ♦Thesetransistorsaresubdividedinto threegroupsA,BandCaccordingto theircurrentgain.ThetypeBC556isavail ableingroupsAandB,however,thetypes BC557andBC558	GE GE Industrial Company
BC559	文件：286.49 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONAFSMALLSIGNALTRANSISTOR PNPSILICONAFSMALLSIGNALTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
BC559	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors •Powerdissipation500mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克

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详细参数

型号：
TLP559(F)
功能描述：
高速光耦合器 TR HI SPD INTER SHIELD
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

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更多TLP559(F)供应商更新时间2024-4-28 10:01:00

详细参数

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