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TLE5012B	文件：2.43361 Mbytes Page：50 Pages	Giant Magneto Resistance (GMR)-based principle	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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TLE5012BD	文件：674.09 Kbytes Page：17 Pages	GMR-Based Dual Die Angle Sensor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE5012BDE9200XUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-TSSOP（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：传感器，变送器位置传感器 - 角度、线性位置测量描述：SPEED SENSORS 16TDSO	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLE5012BE1000FUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：传感器，变送器位置传感器 - 角度、线性位置测量描述：SENSOR ANGLE 360DEG SMD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
TLE5012B
功能描述：
板机接口霍耳效应/磁性传感器 GMR Based Angle Sensor 6.5V
RoHS：
否
制造商：
Honeywell
类型：
Bipolar Hall-Effect Digital Position Sensor
工作电源电压：
3 V to 24 V
电源电流：
3.5 mA
最大输出电流：
20 mA
工作点最小值/最大值：
5 G, 55 G
最小/最大释放点（Brp）：
- 55 G, - 5 G
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23

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