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TK8A65W	文件：316.36 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K8A65W；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.53Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.3mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK8A65W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V); Drain current ID 7.8 A \nPower Dissipation PD 30 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n; Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
TK8A65W	文件：289.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ITK8A65W	文件：289.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K8A65D	文件：1.10623 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TK8A65D	文件：280.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.84Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK8A65D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK8A65D	文件：218.06 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.7Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=4.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TRS8A65C	文件：154.29 Kbytes Page：5 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TRS8A65F	文件：271.55 Kbytes Page：6 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
650
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
7.8
PD(W)：
30
Ciss(pF)：
570
Qg(nC)：
16
=10V：
0.65
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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