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TK8A45D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK8A45D	文件：319.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK8A45DA	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK8A45DA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 7.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 450 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK8A45DA(STA4,Q,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 450V 7.5A TO220SIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

详细参数

型号：
TK8A45D
功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	TK8A45D	TOSHIBA/东芝	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多TK8A45D供应商更新时间2025-10-4 13:01:00

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