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TK62N60W	文件：250.26 Kbytes Page：10 Pages	Switching Voltage Regulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK62N60W	文件：432.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK62N60W5	文件：239.06 Kbytes Page：10 Pages	Marking：K62N60W5；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=170ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.036Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK62N60W5	文件：432.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK62N60X	文件：240.36 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.033Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=3.1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK62N60X	文件：431.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
TK62N60W
功能描述：
MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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