| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 3.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ; | Toshiba 东芝 | Toshiba | ||
SiC Schottky Barrier Diode 文件：245.5 Kbytes 页数：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
DIP-7 | TAKION | TAKION | ||
TO252 | TOSHIBA/东芝 上传：深圳庞田科技有限公司 | TOSHIBA/东芝 |
详细参数
- 型号：
TK4A65D
- 功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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