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TK40A10K3	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK40A10K3	文件：208.88 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOS?? SwitchingRegulatorApplication •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=11.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=80S •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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文件：1.58274 Mbytes

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝株式会社东芝

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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOS??

SwitchingRegulatorApplication •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=11.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=80S •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TK40A10K3(STA4
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TOSTK40A10K3(STA4,QM) 100V/40A POWERMOSF

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更多TK40A10K3(STA4供应商更新时间2025-7-10 10:39:00

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