丝印：K31Z60X；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)

文件：275.54 Kbytes 页数：10 Pages

TOSHIBA

东芝

Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)

Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID 30.8 A \nPower Dissipation PD 230 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;

Toshiba

东芝

DIP

台湾佰一

上传：深圳市科恒伟业电子有限公司

DIP

台湾佰一

上传：深圳市科恒伟业电子有限公司

LQFP-128

TEKNOVUS

上传：深圳市胜彬电子有限公司