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TK190A65Z	文件：469.94 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.158Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswiththelowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.61mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK190E65Z	文件：467.5 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.158Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.61mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK190U65Z	文件：473.74 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.149Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswiththelowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.61mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK19A45D	文件：208.22 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.19Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=10S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=450V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK19A45D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK19A50W	文件：255.85 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.16Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.79mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK19H50C	文件：346.35 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MOS VI) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=0.25Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=14S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=500V) •Enhancementmode:Vth=2.0~4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK19J55D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK19A45D	文件：319.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK19A50W	文件：289.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK19H50C	文件：208.13 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK19H50C_06	文件：208.13 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK19J55D	文件：326.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK1905800000G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：连接器，互连器件线对板描述：TERM BLK 19P SIDE ENTRY 5MM PCB	Amphenol Anytek Amphenol Anytek	Amphenol Anytek

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