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MBR16H60	文件：1.20568 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlossandhighefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvert	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR16H60	文件：1.21181 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR16H60	文件：1.9269 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlossandhighefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvert	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR16H60	文件：72.18 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers SchottkyBarrierRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyope	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR16H60	文件：145.81 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierRectifier SchottkyBarrierRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyope	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB16H60	文件：96.47 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of245°C •AEC-Q101qualifiedav	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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MBRF16H60	文件：110.04 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

详细参数

型号：
TK16H60C(Q)
功能描述：
MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson=0.4Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TK16H60C(Q)供应商更新时间2025-7-1 14:02:00

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