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ITK15A50D	文件：342.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.24Ω(typ.) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1.0mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K15A50D	文件：256.06 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(MOS) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.24Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S15A50	文件：235.5 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(15A,30-60V) UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal. Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarityprotectiondiode	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S15A50PT	文件：68.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
TK15A50D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK15A50D	文件：256.06 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(MOS) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.24Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK15A50D	文件：342.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.24Ω(typ.) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1.0mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
U15A50	文件：136.64 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECTIFIERS(15A,300-600V) UltraFastRecoveryRectifierDiodes	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
U15A50PT	文件：111.17 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER VOLTAGERANGE50-600VoltsCURRENT15Amperes FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Dualrectifierconstruction,positivecentertap Glasspassivatedchipjunctions Lowpowerloss *Lowforwardvoltage,highcurrentcapability	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

详细参数

型号：
TK15A50D(QM)
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
MOSFETN CH500V15ASC-67

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更多TK15A50D(QM)供应商更新时间2025-6-30 15:03:00

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