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ITK13A60D	文件：342.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K13A60D	文件：190.26 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications PowerMOSFET(N-ch500V •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.33Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.0to	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK13A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TK13A60W	文件：298.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
TK13A60D(STA
功能描述：
MOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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