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TK12J60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 / 日本\n; Drain current ID 11.5 A \nPower Dissipation PD 110 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V \n;	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
TK12J60W	文件：250.32 Kbytes Page：10 Pages	Switching Voltage Regulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
TK12J60W	文件：313.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
K12J60U	文件：199.05 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.36Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=3.0~5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
TK12J60U	文件：313.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
TK12J60U	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
11.5
PD(W)：
110
Ciss(pF)：
890
Qg(nC)：
25
=10V：
0.3
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-3P(N)
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
15.5 x 20.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
310.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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更多TK12J60W供应商更新时间2025-8-2 14:13:00

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