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TK100A06N1	文件：236.42 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V) (3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA) Applications • Switching Voltage Regulators 文件：236.42 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK100A06N1	文件：342.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：342.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK100A06N1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 263 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
ITK100A06N1	文件：342.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：342.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
60
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
263
PD(W)：
45
Ciss(pF)：
10500
Qg(nC)：
140
=10V：
0.0027
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
U-MOSⅧ-H
Type：
High-speed switching
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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更多TK100A06N1供应商更新时间2025-10-6 16:50:00

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