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TK100A06N1	文件：236.42 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.2mΩ(typ.)(VGS=10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=60V) (3)Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1.0mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK100A06N1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V); Drain current ID 263 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V \n; Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
TK100A08N1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V); Drain current ID 214 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 80 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V \n; Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国\n	ETC	ETC
TK100A06N1	文件：342.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK100A08N1	文件：237.4 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK100A10N1	文件：342.24 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK100A10N1	文件：237.88 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
60
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
263
PD(W)：
45
Ciss(pF)：
10500
Qg(nC)：
140
=10V：
0.0027
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
U-MOSⅧ-H
Type：
High-speed switching
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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