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TISP61521DR	文件：253.39 Kbytes Page：11 Pages	DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
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TISP61521DR-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 晶闸管描述：THYRISTOR 175V 30A 8SOIC	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
M61521SFCN	文件：1.1537 Mbytes Page：7 Pages	5.0x7.0mm,3.0,3.3&5.0V,HCMOSorClippedSineWave,PrecisionTCXO/TCVCXO	MTRONPTI mtronpti	MTRONPTI
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详细参数

型号：
TISP61521DR
功能描述：
SCR Dual P Gate Forward Conducting
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics 最大转折电流
IBO：
480 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态：
RMS
正向电压下降：
1.6 V
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
最大栅极峰值反向电压：
5 V
栅触发电流(Igt)：
35 mA 保持电流（Ih
最大值）：
75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220
封装：
Tube

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