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TISP61511DR

DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

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Bourns

伯恩斯

TISP61511DR-S

DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

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Bourns

伯恩斯

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DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

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Bourns

伯恩斯

TISP61511DR

Dual Programmable Overvoltage Protectors - SLIC IC

Power Innovations

TISP61511DR-S

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 晶闸管 描述:THYRISTOR 100V 30A 8SOIC

Bourns Inc.

Bourns Inc.

详细参数

  • 型号:

    TISP61511DR

  • 功能描述:

    SCR Dual P Gate Forward Conducting

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO:

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM:

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):

    5 uA

  • 开启状态:

    RMS

  • 正向电压下降:

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt):

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压:

    5 V

  • 栅触发电流(Igt):

    35 mA 保持电流(Ih

  • 最大值):

    75 mA

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    TO-220

  • 封装:

    Tube

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更多TISP61511DR供应商 更新时间2025-11-20 16:36:00