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TIP50G	文件：163.67 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage NPN Silicon Power Transistors 1.0AMPEREPOWERTRANSISTORSNPNSILICON250−300−400VOLTS40WATTS Thisseriesisdesignedforlineoperatedaudiooutputamplifier,SWITCHMODE™powersupplydriversandotherswitchingapplications. Features •250Vto400V(Min)−VCEO(sus) •1ARatedCollectorCurrent •PopularTO−2	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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TIP50G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1A TO220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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TIP50G

文件：163.67 Kbytes

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High Voltage NPN Silicon Power Transistors

1.0AMPEREPOWERTRANSISTORSNPNSILICON250−300−400VOLTS40WATTS Thisseriesisdesignedforlineoperatedaudiooutputamplifier,SWITCHMODE™powersupplydriversandotherswitchingapplications. Features •250Vto400V(Min)−VCEO(sus) •1ARatedCollectorCurrent •PopularTO−2

ONSEMION Semiconductor

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High Voltage NPN Silicon Power Transistors

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Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1A TO220

ONSEMION Semiconductor

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产品属性

产品编号：
TIP50G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 300mA，10V
频率 - 跃迁：
10MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 400V 1A TO220

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更多TIP50G供应商更新时间2025-5-1 23:00:00

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