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TIP141G	文件：144.24 Kbytes Page：8 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP141G	文件：91.24 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP141NPN	文件：327.1 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARDARLINGTONPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowFrequencySwitchingApplications TO-3PNNonIsolated PlasticPackage	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP141-S	文件：111.96 Kbytes Page：4 Pages	DesignedforComplementaryUsewithTIP145,TIP146andTIP147	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TIP141T	文件：69.96 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP141T	文件：79.49 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP141T	文件：574.33 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TIP141T	文件：571.15 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP141T	文件：253.42 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP141T	文件：52.75 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
TIP141FTU
功能描述：
达林顿晶体管
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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