TIP132G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
TIP132G |
| 参数属性 | TIP132G 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 |
| 功能描述 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
61.1 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 12:00:00 |
| 人工找货 | TIP132G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
TIP132G规格书详情
TIP132G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的TIP132G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
特性 Features
• High DC Current Gain −
hFE = 2500 (Typ) @ IC
= 4.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) − TIP131
= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc
= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号:
TIP132G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 30mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 4A,4V
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
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