TIG058E8数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
TIG058E8 |
| 参数属性 | TIG058E8 封装/外壳为8-SMD，扁平引线；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 400V 8ECH |
| 功能描述 | IGBT, N-Channel, 400V, 150A, VCE(sat)=4V, Single ECH8 |
| 封装外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-15 9:19:00 |
| 人工找货 | TIG058E8价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TIG058E8规格书详情
描述 Description
TIG058E8 is N-Channel IGBT, 400V, 150A, VCE(sat)=4V, Single ECH8 for light-controlling flash applications.
特性 Features
• Low saturation voltage
• Low voltage drive (4V)
• Enhansment type
• Built-in Gate-to-Emitter protection diode
• Mounting Height 0.9mm, Mounting Area 8.12mm2
• dv / dt guarantee
应用 Application
• Light Controlling Flash Applications
简介
TIG058E8属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的TIG058E8晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIG058E8
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：400
- IC Max (A)
：150
- VCE(sat) Typ (V)
：4
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：-
- Eon Typ (mJ)
：-
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：-
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：-
- Co-Packaged Diode
：No
- Package Type
：SOT-28 FL/ECH-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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