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TIC216	文件：67.32 Kbytes Page：4 Pages	SILICON TRIACS ● Sensitive Gate Triacs ● 6 A RMS ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 5 mA (Quadrants 1 - 3) 文件：67.32 Kbytes 页数：4 Pages	POINN	POINN
TIC216	文件：115.59 Kbytes Page：3 Pages	SILICON TRIACS 文件：115.59 Kbytes 页数：3 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TIC216	文件：104.51 Kbytes Page：3 Pages	SILICON TRIACS 文件：104.51 Kbytes 页数：3 Pages	TI 德州仪器	TI
TIC216	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON TRIACS ● Sensitive Gate Triacs\n● 6 A RMS\n● Glass Passivated Wafer\n● 400 V to 800 V Off-State Voltage\n● Max IGT of 5 mA (Quadrants 1 - 3)	Power Innovations	Power Innovations
TIC216	文件：300 bytes Page：1 Pages	Thyristor	Comset	Comset
TIC216	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON TRIACS	TI 德州仪器	TI
TIC216A	文件：209.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarity of gate signal with main Terminal 2 at either polarity. • 6 A RMS • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 5 mA (Qua 文件：209.09 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
TIC216B	文件：209.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarity of gate signal with main Terminal 2 at either polarity. • 6 A RMS • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 5 mA (Qua 文件：209.09 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
TIC216D	文件：67.32 Kbytes Page：4 Pages	SILICON TRIACS ● Sensitive Gate Triacs ● 6 A RMS ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 5 mA (Quadrants 1 - 3) 文件：67.32 Kbytes 页数：4 Pages	POINN	POINN
TIC216D	文件：209.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarity of gate signal with main Terminal 2 at either polarity. • 6 A RMS • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 5 mA (Qua 文件：209.09 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET

技术参数

电压 - 断态：
400V
电流 - 通态（It（RMS））（最大值）：
6A
电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）：
2.2V
电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）：
60A @ 50Hz
电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）：
5mA
电流 - 保持（Ih）（最大值）：
30mA
配置：
单一
工作温度：
-40°C ~ 110°C（TC）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	TIC216	PHI	20+	TO-220	38900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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深圳市富诚威科技有限公司	TIC216M	TI	25+	TO-220	4650		询价
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更多TIC216供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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