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1458	文件：418.02 Kbytes Page：1 Pages	MediumPower,3.5mmConnectors	APITECH API Technologies Corp	APITECH
AOL1458	文件：261.67 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
C1458C	文件：306.14 Kbytes Page：10 Pages	GENERALPURPOSEDUALOPERATIONALAMPLIFIER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社
TZ1458A	文件：345.65 Kbytes Page：7 Pages	SMD2.5x2.026.0MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.
TZ1458C	文件：137.64 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.5x2.026.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.
UPA1458	文件：51.78 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAYLOWSPEEDSWITCHINGUSEDARLINGTONTRANSISTORINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1458isNPNsiliconepitaxialDarlingtonPowerTransistorArraythatbuiltinSurgeAbsorberand4circuitsdesignedfordrivingsolenoid,relay,lampandsoon. FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社

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更多TDB1458供应商更新时间2025-8-3 10:20:00

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