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B1187	文件：279.59 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarPNPSiliconTransistor @Features 1)Largecollectorpowerdissipation: Po=30W(Te=25°C) 2)WideASO. 3)Complementarypairwith25D1761. 4)Easilyinsulatedfromtheheatdis- sipationplateasthefinismolded.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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