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TCFGB1C106K8R电容器钽电容器规格书PDF中文资料

TCFGB1C106K8R
厂商型号

TCFGB1C106K8R

参数属性

TCFGB1C106K8R 封装/外壳为1411(3528 公制);包装为卷带(TR);类别为电容器 > 钽电容器;产品描述:CAP TANT MOLD SMD LOW ESR

功能描述

Chip tantalum capacitors (Fail-safe open structure type)
CAP TANT MOLD SMD LOW ESR

文件大小

122.71 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-8 18:22:00

TCFGB1C106K8R规格书详情

TCFGB1C106K8R属于电容器 > 钽电容器。罗姆半导体集团制造生产的TCFGB1C106K8R钽电容器电容器是一种用于存储电荷的无源电子器件。钽电容器具有由钽金属制成的阳极 (+)、充当阴极的电解质和充当电介质的氧化钽绝缘薄层。钽电容器在低重量下提供较高的每单位体积电容电压 (CV) 乘积,并且以高可靠性著称。

产品属性

  • 产品编号:

    TCFGB1C106K8R

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    电容器 > 钽电容器

  • 系列:

    TCFG

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±10%

  • 类型:

    模制

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    1411(3528 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.138" 长 x 0.110" 宽(3.50mm x 2.80mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    0.083"(2.10mm)

  • 制造商尺寸代码:

    B

  • 特性:

    内置式保险丝安全保护功能

  • 描述:

    CAP TANT MOLD SMD LOW ESR

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