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AM2908	文件：595.14 Kbytes Page：13 Pages	OneChannelH-BridgeDrMOS FeaturesandBenefits LowestRDS(ON)=45mΩ 60VAbsoluteMaximumVoltage 4.5AMaximumContinuousCurrent. LowestRDS(ON)andSmallPackage 10~50VOperatingVoltageRange OvercurrentProtection ThermalShutdownProtection UndervoltageLockout FaultIndicatorPin LowStandbyCurre	AMTEKAMtek SEMICONDUCTORS CO., LTD 晶致半导体晶致半导体股份有限公司	AMTEK
AMS2908	文件：65.8 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR GENERALDESCRIPTION TheTheAMS2908seriesofadjustableandfixedvoltageregulatorsaredesignedtoprovide800mAoutputcurrentandtooperatedownto1Vinput-to-outputdifferential.Thedropoutvoltageofthedeviceisguaranteedmaximum1.3Vatmaximumoutputcurrent,decreasingatlowerlo	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS2908	文件：63.54 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS2908CD	文件：63.54 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS2908CD	文件：65.8 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR GENERALDESCRIPTION TheTheAMS2908seriesofadjustableandfixedvoltageregulatorsaredesignedtoprovide800mAoutputcurrentandtooperatedownto1Vinput-to-outputdifferential.Thedropoutvoltageofthedeviceisguaranteedmaximum1.3Vatmaximumoutputcurrent,decreasingatlowerlo	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AOD2908	文件：1.80965 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD2908	文件：1.77516 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD2908	文件：321.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD2908	文件：272.73 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AUIRLR2908	文件：236.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR2908	文件：672.6 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AUIRLR2908TR	文件：236.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR2908TRL	文件：236.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IIRLR2908	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR2908	文件：206.37 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fasts	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2908	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR2908	文件：1.06845 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR2908PBF	文件：325.14 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fasts	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2908PBF	文件：340.72 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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更多TCD2908CF供应商更新时间2024-9-25 10:40:00

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