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TCD2712DG	文件：547.11 Kbytes Page：14 Pages	TOSHIBA CCD Linear Image Sensor CCD TheTCD2712DGisahighsensitiveandlowdarkcurrent7500 elements3linesoutputCCDcolorlinearimagesensor. Thedevicecontainsarowof7500elements3linesphotodiodes whichprovide24lines/mmacrossaA3sizepaper.Thedeviceis operatedby5.0Vpulseand10Vpowersupply.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TMD2712	文件：1.76911 Mbytes Page：54 Pages	ALSProximitySensorModule Features •Tiny1mmx2mmx0.5mmmodule •1.8Vpowersupplywith1.8VI²Cbus •Sleepmode(0.7μA) •VCSELIRemitter •Integratedfactorycalibrated940nmIRVCSEL •Crosstalkandambientlightcancellation •Wideconfigurationrange •Highsensitivity •2channels(photopicALS+IR)	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
TW2712	文件：324.55 Kbytes Page：2 Pages	TW2710andTW2712SingleBandGNSSAntennas	TALLYSMAN Tallysman Wireless Inc.	TALLYSMAN
UPA2712GR	文件：314.19 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2712GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−5.0A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=−4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2712GR	文件：1.82772 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA2712GR	文件：89.53 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712T	文件：159.19 Kbytes Page：12 Pages	2.6GHzWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712TB	文件：66.53 Kbytes Page：9 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3V,SILICONGERMANIUMMMICWIDEBANDAMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市明嘉莱科技有限公司	TCD2712DG	TOSHIBA/东芝	25+	DIP	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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