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UPA1709	文件：79.46 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1709	文件：234.15 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF(TYP.) •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1709G	文件：234.15 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF(TYP.) •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1709G	文件：1.71381 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
TCD1709D
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA CCD Linear Image Sensor CCD(Charge Coupled Device)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市纳艾斯科技有限公司	TCD1710DG	TOSHIBA	24+	CDIP	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	TCD1710DG	XTW	24+	QFN	30760	绝对原厂支持只做自己现货优势	询价
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更多TCD1709D供应商更新时间2025-7-15 15:01:00

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