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TC74VHC20FN	文件：190.71 Kbytes Page：5 Pages	DUAL 4-INPUT NAND GATE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC74VHC20FN	文件：220.52 Kbytes Page：8 Pages	Dual 4-Input NAND Gate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC74VHC20FN	文件：219.5 Kbytes Page：9 Pages	Dual 4-Input NAND Gate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
74VHC20	文件：51.35 Kbytes Page：7 Pages	DUAL4-INPUTNANDGATE DESCRIPTION The74VHC20isanadvancedhigh-speedCMOSDUAL4-INPUTNANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. Theinternalcircuitiscomposedof3stagesincludingbufferoutput,whichprovideshighnoiseimmunityandstableoutput. Power	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
74VHC20	文件：218.25 Kbytes Page：10 Pages	DUAL4-INPUTNANDGATE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
74VHC20FT	文件：146.2 Kbytes Page：7 Pages	CMOSDigitalIntegratedCircuitsSiliconMonolithic FunctionalDescription •Dual4-InputNANDGate General The74VHC20FTisanadvancedhighspeedCMOS4-INPUTNANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOS technology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOS lowpowerdissipa	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
74VHC20M	文件：51.35 Kbytes Page：7 Pages	DUAL4-INPUTNANDGATE DESCRIPTION The74VHC20isanadvancedhigh-speedCMOSDUAL4-INPUTNANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. Theinternalcircuitiscomposedof3stagesincludingbufferoutput,whichprovideshighnoiseimmunityandstableoutput. Power	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
74VHC20MTR	文件：218.25 Kbytes Page：10 Pages	DUAL4-INPUTNANDGATE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
74VHC20T	文件：51.35 Kbytes Page：7 Pages	DUAL4-INPUTNANDGATE DESCRIPTION The74VHC20isanadvancedhigh-speedCMOSDUAL4-INPUTNANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. Theinternalcircuitiscomposedof3stagesincludingbufferoutput,whichprovideshighnoiseimmunityandstableoutput. Power	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
74VHC20TTR	文件：218.25 Kbytes Page：10 Pages	DUAL4-INPUTNANDGATE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TC74VHC20F	文件：220.52 Kbytes Page：8 Pages	Dual4-InputNANDGate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC74VHC20F	文件：219.5 Kbytes Page：9 Pages	Dual4-InputNANDGate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC74VHC20F	文件：190.71 Kbytes Page：5 Pages	DUAL4-INPUTNANDGATE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC74VHC20FK	文件：219.5 Kbytes Page：9 Pages	Dual4-InputNANDGate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC74VHC20FT	文件：219.5 Kbytes Page：9 Pages	Dual4-InputNANDGate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC74VHC20FT	文件：190.71 Kbytes Page：5 Pages	DUAL4-INPUTNANDGATE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TC74VHC20FT	文件：220.52 Kbytes Page：8 Pages	Dual4-InputNANDGate	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TC74VHC20FN
功能描述：
IC GATE NAND DUAL 4INP 14-SOL
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 逻辑 - 栅极和逆变器
系列：
74VHC
标准包装：
2,000
系列：
74LCX
逻辑类型：
逆变器，缓冲器
电路数：
1
输入数：
8
特点：
三态
电源电压：
2 V ~ 3.6 V 电流 -
静态（最大值）：
10µA
输出电流高，低：
24mA，24mA 逻辑电平 -
低：
0.7 V ~ 0.8 V 逻辑电平 -
高：
1.7 V ~ 2 V 额定电压和最大 CL
时的最大传播延迟：
6.5ns @ 3.3V，50pF
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
供应商设备封装：
20-SSOP
封装/外壳：
20-SSOP（0.209，5.30mm 宽）
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TC74VHC20FN供应商更新时间2024-6-4 15:22:00

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