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TC4626EOE	文件：462.28 Kbytes Page：14 Pages	Power CMOS Drivers With Voltage Tripler GENERAL DESCRIPTION The TC4626/4627 are single CMOS high speed drivers with an on-board voltage boost circuit. These parts work with an input supply voltage from 4 to 6 volts. The internal voltage booster will produce a VBOOST potential up to 12 volts above VIN. This VBOOST is not regulated, so i 文件：462.28 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TC4626EOE	文件：75.64 Kbytes Page：7 Pages	POWER CMOS DRIVERS WITH VOLTAGE TRIPLER GENERAL DESCRIPTION The TC4626/4627 are single CMOS high speed drivers with an on-board voltage boost circuit. These parts work with an input supply voltage from 4 to 6 volts. The internal voltage booster will produce a VBOOST potential up to 12 volts above VIN. This VBOOST is not regulated, so i 文件：75.64 Kbytes 页数：7 Pages	TELCOM TelCom Semiconductor, Inc	TELCOM
TC4626EOE	文件：255.04 Kbytes Page：18 Pages	Power CMOS Drivers With Voltage Tripler 文件：255.04 Kbytes 页数：18 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TC4626EOE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC	Microchip 微芯科技	Microchip
TC4626EOE713	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
TC4626EOE
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
单路
栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4V ~ 6V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
33ns，27ns
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

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更多TC4626EOE供应商更新时间2025-10-7 10:01:00

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