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TC4427EOA	文件：66.39 Kbytes Page：9 Pages	1.5A DUAL HIGH-SPEED POWER MOSFET DRIVERS GENERALDESCRIPTION TheTC4426/4427/4428areimprovedversionsoftheearlierTC426/427/428familyofbuffer/drivers(withwhichtheyarepincompatible).Theywillnotlatchupunderanyconditionswithintheirpowerandvoltageratings.Theyarenotsubjecttodamagewhenupto5Vofnoisespik	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC4427EOA	文件：444.66 Kbytes Page：20 Pages	1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC4427EOA	文件：75.47 Kbytes Page：6 Pages	1.5A DUAL HIGH-SPEED, POWER MOSFET DRIVERS	TELCOM TELCOM	TELCOM
TC4427EOA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC4427EOA713	文件：444.66 Kbytes Page：20 Pages	1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC4427EOA713	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC4427EOA-VAO	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AN4427	文件：1.13772 Mbytes Page：19 Pages	Gasketdesignforoptimalacousticperformance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AO4427	文件：997.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches -NotebookPCs -DesktopPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4427	文件：1.69995 Mbytes Page：4 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected. ProductSummary VDS(V)=-30V I	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4427	文件：1.50179 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-12.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4427	文件：174.72 Kbytes Page：4 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4427	文件：142.48 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4427isPb-free(meetsROHS&	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4427-HF	文件：1.48065 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-12.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4427L	文件：142.48 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4427isPb-free(meetsROHS&	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP4427GM	文件：202.9 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,FastSwitchingCharacteristic BVDSS35V RDS(ON)6.6mΩ ID16A Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSO-8packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurface	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM4427K	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4427KC-TR	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4427KC-TRL	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4427KC-TU	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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产品属性

产品编号：
TC4427EOA
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
19ns，19ns
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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