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TBL04

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts

文件:230.19 Kbytes 页数:2 Pages

DCCOM

道全

TBL04

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

文件:46.29 Kbytes 页数:2 Pages

HY

虹扬科技

TBL04G

GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

文件:98.09 Kbytes 页数:2 Pages

HY

虹扬科技

TBL04G

GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

文件:203.78 Kbytes 页数:3 Pages

HY

虹扬科技

NTBL045N065SC1

丝印:TBL045065SC1;Package:H-PSOF8L;Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650V, M2, TOLL

Features • Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 162 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • RoHS Compliant Typical Applications • SMPS (Switching Mode Power Supplies)

文件:240.12 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TBL040N06TB

60V, N Channel MOSFETs

Galaxy

银河微电

TBL042N04D

104A, 40V, 78W, N Channel, Power MOSFETs

Galaxy

银河微电

技术参数

  • AEC Qualified:

    YES

  • Pb Free:

    YES

  • Halide free:

    YES

  • Reach:

    YES

  • RoHS:

    YES

  • Marketing Status:

    Active

  • Configuration:

    Single

  • Channel Polarity:

    N

  • ESD:

    /

  • TJ(°C)max.:

    175

  • TJ(°C)min.:

    -55

  • PD(W)Max.:

    188

  • V(BR)DSS(V)Min.:

    60

  • VGS(V)Max.:

    ±20

  • ID(A)Max.:

    160

  • IGSS(uA)Max.:

    ±0.1

  • VGS(th)(V)Max.:

    2.5

  • RDS(on)(mΩ)@10VTyp.:

    3.5

  • RDS(on)(mΩ)@10VMax.:

    4

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.:

    4.3

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.:

    6

  • ECCN(US):

    EAR99

  • Category:

    中低压功率MOS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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