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TB3100M-13	文件：187.31 Kbytes Page：4 Pages	50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE Features •50APeakPulseCurrent@10/1000μs •250APeakPulseCurrent@8/20μs •58-320VStand-OffVoltages •Oxide-GlassPassivatedJunction •BidirectionalProtectionInaSingleDevice •HighOff-StateimpedanceandLowOn-StateVoltage •HelpsEquipmentMeetGR-1089-CORE,IEC61000-	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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TB3100M-13

文件：187.31 Kbytes

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50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

Features •50APeakPulseCurrent@10/1000μs •250APeakPulseCurrent@8/20μs •58-320VStand-OffVoltages •Oxide-GlassPassivatedJunction •BidirectionalProtectionInaSingleDevice •HighOff-StateimpedanceandLowOn-StateVoltage •HelpsEquipmentMeetGR-1089-CORE,IEC61000-

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

TB3100M-13-F

文件：76.63 Kbytes

Page：4 Pages

50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

TB3100M-13-F

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 晶闸管描述：THYRISTOR 275V 250A DO214AA

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

详细参数

型号：
TB3100M-13
功能描述：
硅对称二端开关元件 50A 275V
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TB3100M-13供应商更新时间2025-5-23 15:36:00

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