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T2G6001528-Q3	文件：2.11125 Mbytes Page：16 Pages	18 W, 28 V, DC – 6.0 GHz, GaN Power Transistor Key Features • Operating Frequency Range: DC – 6.0 GHz • Operating Drain Voltage: 28 V • Output Power (P3dB): 19 W at 5.2 GHz • Low thermal resistance package 文件：2.11125 Mbytes 页数：16 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
T2G6001528-Q3	文件：989.44 Kbytes Page：13 Pages	18W, 28V, DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor 文件：989.44 Kbytes 页数：13 Pages	TriQuint	TriQuint
T2G6001528-Q3	文件：1.67559 Mbytes Page：17 Pages	18W, 28V, DC ??6 GHz, GaN RF Power Transistor 文件：1.67559 Mbytes 页数：17 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
T2G6001528-Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	DC - 6 GHz, 15 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor Qorvo's T2G6001528-Q3 is a 15 W (P3dB) wideband unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6 GHz and a 28V supply rail. The device is in an industry standard air cavity package and is ideally suited to military and civilian radar, land mobile and military radio communications, avio • Frequency range: DC-6 GHz\n• P3dB: 17W at 3.3 GHz\n• PAE3dB: 72% typical\n• Linear gain: > 15dB at 3.3 GHz\n• Bias: Vd = 28V, Idq = 100mA, Vg = -3.2V typical;	Qorvo 威讯联合	Qorvo
T2G6001528-Q3_V01	文件：2.11125 Mbytes Page：16 Pages	18 W, 28 V, DC – 6.0 GHz, GaN Power Transistor Key Features • Operating Frequency Range: DC – 6.0 GHz • Operating Drain Voltage: 28 V • Output Power (P3dB): 19 W at 5.2 GHz • Low thermal resistance package 文件：2.11125 Mbytes 页数：16 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
T2G6001528-Q3EVB1	文件：2.11125 Mbytes Page：16 Pages	18 W, 28 V, DC – 6.0 GHz, GaN Power Transistor Key Features • Operating Frequency Range: DC – 6.0 GHz • Operating Drain Voltage: 28 V • Output Power (P3dB): 19 W at 5.2 GHz • Low thermal resistance package 文件：2.11125 Mbytes 页数：16 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
T2G6001528-Q3EVB2	文件：2.11125 Mbytes Page：16 Pages	18 W, 28 V, DC – 6.0 GHz, GaN Power Transistor Key Features • Operating Frequency Range: DC – 6.0 GHz • Operating Drain Voltage: 28 V • Output Power (P3dB): 19 W at 5.2 GHz • Low thermal resistance package 文件：2.11125 Mbytes 页数：16 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
T2G6001528-Q3_15	文件：989.44 Kbytes Page：13 Pages	18W, 28V, DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor 文件：989.44 Kbytes 页数：13 Pages	TriQuint	TriQuint
T2G6001528-Q3-EVB1	文件：989.44 Kbytes Page：13 Pages	18W, 28V, DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor 文件：989.44 Kbytes 页数：13 Pages	TriQuint	TriQuint
T2G6001528-Q3-EVB1	文件：1.67559 Mbytes Page：17 Pages	18W, 28V, DC ??6 GHz, GaN RF Power Transistor 文件：1.67559 Mbytes 页数：17 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO

技术参数

频率最大值(MHz)：
6
增益(dB)：
15.5
Psat(dBm)：
42
PAE(%)：
>
漏极效率(%)：
72
Vd(V)：
28
Idq(mA)：
100
封装类型：
NI-200
RoHS：
Yes
Lead Free：
Yes
Halogen Free：
No
ITAR Restricted：
No
ECCN：
EAR99

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更多T2G6001528-Q3供应商更新时间2025-10-3 16:50:00

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