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SZ5830	文件：88.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0 WATT 6.8 - 270 VOLTS ZENER DIODES	SSDI SSDI
5830	文件：28.96 Kbytes Page：1 Pages	FlexibleMaxigrabberTestClip	POMONA Pomona Electronics
ACE5830	文件：485.98 Kbytes Page：6 Pages	DFNWB2X2-6LN-ChannelMOSFETS	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACT5830	文件：713.48 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
ACT5830	文件：74.52 Kbytes Page：2 Pages	TwelveChannelIntegratedPowerManagementICforMobileHandsets GENERALDESCRIPTION Thepatent-pendingACT5830isacomplete,integratedpowermanagementsolutionthatisidealformid-highandmobilephones.ThisdeviceintegratesalinearLi+batterychargerwithaninternalpowerMOSFET,ahighefficiency350mADC/DCconverter,eightlowdropoutlinearreg	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
ACT5830	文件：774.52 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
ACT5830QJCES-T	文件：713.48 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
ACT5830QJCGN-T	文件：713.48 Kbytes Page：41 Pages	TwelveChannelPMUforMobilePhones	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
APC5830	文件：252.15 Kbytes Page：10 Pages	APC5830DE-COMPRESSIONVOICEIC CHIPFEATURES. ●DUALOPERATIONFREQUENCIES: -32.768KHZ&0.5SECONDTIMERINTERRUPT. -BUILT-INPLLCIRCUITTOGENERATESYSTEMCLOCKMAX20MHZ. ●BUILT-IN2KBYTES(1K16)RAM. ●ADDRESSUPTO8MBYTE(4M16)RAMORROMOR“ROMANDRAM” BUILT-IN16KBYTE(8K*16)PROGRAMROMAND	APLUSAPLUS APLUS
ATA5830	文件：1.00191 Mbytes Page：27 Pages	UHFASK/FSKTransceiver	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATA5830	文件：862.49 Kbytes Page：24 Pages	UHFASK/FSKTransceiver	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATA5830N	文件：1.00191 Mbytes Page：27 Pages	UHFASK/FSKTransceiver	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
BA5830FM	文件：156.31 Kbytes Page：5 Pages	SiliconMonolithicIntegratedCircuit Features ・4CHBTLDriver. ・EmploystheHSOP-M28PINpowerpackageforcompaction. ・Hasawidedynamicrange.(PreVcc=PowVcc=8V,RL=8Ω、6.0V(typ.)) ・Incorporatesthethermalshutdowncircuit. ・SeparatingVccintoPreandPower(PowerdividesintoCH1/2and CH3/4),canmakebetterPowerefficien	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
FTD5830A	文件：1.37569 Mbytes Page：16 Pages	3ALowDropRegulaotrWithEnable	FS First Silicon Co., Ltd
FTD5830B	文件：1.37569 Mbytes Page：16 Pages	3ALowDropRegulaotrWithEnable	FS First Silicon Co., Ltd
LC5830K	文件：1.262 Mbytes Page：25 Pages	Supplyvoltage6to48V	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦
NTE5830	文件：18.74 Kbytes Page：2 Pages	StudMountStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp Description: TheNTE5830throughNTE5849aresiliconrectifiersinaD04typepackagedesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics, Inc
NTMFS5830NL	文件：114.04 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,172A,2.3m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVD5830NL	文件：81.7 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVMFS5830NL	文件：116.31 Kbytes Page：6 Pages	40V,2.3m,185A,SingleN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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详细参数

型号：
SZ5830
制造商：
SSDI
制造商全称：
Solid States Devices, Inc
功能描述：
5.0 WATT 6.8 - 270 VOLTS ZENER DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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