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SWP640	文件：784.84 Kbytes Page：7 Pages	N-channel MOSFET General Description This power MOSFET is produced in SAMWIN with advanced VDMOS process, planar stripe.This technology enable power MOSFET to have better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche characteristics. It is main 文件：784.84 Kbytes 页数：7 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SWP640	文件：1.81669 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.81669 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SWP640	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel MOSFET	Semipower 芯派科技	Semipower
SXBP-640	文件：385.01 Kbytes Page：1 Pages	Bandpass Filter 文件：385.01 Kbytes 页数：1 Pages	MINI	MINI
SXBP-640+	文件：385.01 Kbytes Page：1 Pages	Bandpass Filter 文件：385.01 Kbytes 页数：1 Pages	MINI	MINI
T640N	文件：246.44 Kbytes Page：10 Pages	Netz-Thyristor Phase Control Thyristor 文件：246.44 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多SWP640供应商更新时间2025-10-4 14:02:00