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SZ556I	文件：47.64 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ556I	文件：229.74 Kbytes Page：3 Pages	3WSiliconZenerDiodes Features ◇CompleteVoltageRange3.9to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SZ556I	文件：80.42 Kbytes Page：2 Pages	3WattsSurfaceMountZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.9to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SZ556I	文件：147.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.9to200Volts	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
TBC556	文件：55.57 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPNPEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) PRIMARILYINTENDEDFORUSEDRIVERSTAGEOFAUDIO AMPLIFIERS. FEATURES .HighVcEO -65V(TBC556) -45V(TBC557) -30V(TBC558) .LowNoise	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TFS556	文件：220.03 Kbytes Page：5 Pages	Filterspecification	Vectron Vectron International, Inc	Vectron
TLC556	文件：236.45 Kbytes Page：18 Pages	DUALLinCMOSETIMERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLC556	文件：1.02513 Mbytes Page：22 Pages	DUALLinCMOSETIMERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLC556CD	文件：236.45 Kbytes Page：18 Pages	DUALLinCMOSETIMERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLC556CD	文件：1.00556 Mbytes Page：22 Pages	DUALLinCMOSETIMERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SW-556供应商更新时间2025-7-25 11:06:00

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