超结MOS功率管

SVS24N65F(FJH)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。\n\n 此外，SVS24N65F(FJH)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。 • 24A,650V, RDS(on)(typ.)=0.16W@VGS=10V \n• 创新高压技术\n• 低栅极电荷\n• 较强的雪崩能力\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力;

Silan

士兰微

SiC Schottky Barrier Diode

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TOSHIBA

东芝

SiC Schottky Barrier Diode

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TOSHIBA

东芝

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 145mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and PFC Circuits

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ISC

无锡固电