平面高压MOS功率管

SVF4N73D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 4A，730V，RDS(on)(典型值)=2.7Ω@VGS=10V \n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快 \n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

Enhancement Mode MOSFET

文件：627.1 Kbytes 页数：8 Pages

ICEMOS

Icemos Technology

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：849.87 Kbytes 页数：4 Pages

MICROSS

Enhancement Mode MOSFET

文件：646.47 Kbytes 页数：8 Pages

ICEMOS

Icemos Technology