平面高压MOS功率管

SVF4N65RD/M/MJ/F/T  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

平面高压MOS功率管

SVF4N65RD/M/MJ/F/T  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.09026 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

文件：1.06952 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-channel MOSFET (TO-220F , TO-220)

文件：775.92 Kbytes 页数：7 Pages

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